RRAM là một giải pháp bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên mới có khả năng vẫn giữ các thông tin khi không được cung cấp điện, khác biệt so với giải pháp DDR RAM trong máy tính vốn sẽ mất tất dữ liệu khi tắt nguồn máy tính.
Công nghệ sản xuất ổ SSD mới.
Phương pháp tiếp cận của RRAM liên quan đến một cấu trúc dạng khối được xếp chồng lên nhau trong không gian ba chiều. Trên lý thuyết phương pháp lưu trữ này có thể cung cấp đến 1 Terabyte dữ liệu trên một chip duy nhất. Tuy nhiên, chúng lại đặt ra một lo ngại về khả năng rò rỉ dữ liệu trên các chip nhớ.
Mặc dù vậy, các kĩ sư của Crossbar cho biết, họ đã tìm thấy một giải pháp mới gọi là “1 Transistor Driving n Resistive memory cell”, hay 1TnR, cho phép 2.000 tế bào bộ nhớ có thể đặt trong một transistor duy nhất. Với thiết kế này, giúp chúng có thể tránh các hiện tượng rò rỉ dữ liệu, và phù hợp với những ổ đĩa dung lượng nhớ cao hơn.
RRAM được xem là một bước đột phá của Crossbar, cho phép chúng có thể chứa một lượng chip nhớ cực lớn vào ổ SSD có kích thước chỉ bằng một con tem. Thậm chí còn nhỏ hơn so với công nghệ chip nhớ V-NAND của Samsung và sắp tới là 3D NAND của Intel.
Theo dự kiến, RRAM sẽ xuất hiện sớm nhất trên các sản phẩm được bán lẻ vào cuối năm 2015, mặc dù các đối tác quan tâm đến công nghệ của Crossbar vẫn chưa được tiết lộ. Hiện tại vẫn còn một số trở ngại cho mục tiêu của Crossbar, nhưng nếu thành công nó có thể tạo ra một bước tiến nhanh chóng và cần thiết cho nhu cầu lưu trữ ngày càng tăng lên hiện nay.
